主要特点
低待机电流
控制端口内置11KΩ对地下拉电阻
集成的H桥驱动电路；
集成低导通内阻MOSFET功率开关管
内置防共态导通功能
内置过热保护功能
内置过流保护功能
逻辑电源电压VCC：3～5.5V
功率电源电压VM：8～24V
封装形式：SOP8
